近日，阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布“2020十大科技趨勢(shì)”，這是繼2019年之后，達(dá)摩院第二次預(yù)測(cè)年度科技趨勢(shì)?；赝?019年的科技領(lǐng)域，靜水流深之下仍有暗潮涌動(dòng)。AI芯片崛起、智能城市誕生、5G催生全新應(yīng)用場(chǎng)景……達(dá)摩院去年預(yù)測(cè)的科技趨勢(shì)一一變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。

      達(dá)摩院此次預(yù)測(cè)了芯片、AI、云計(jì)算以及量子計(jì)算等領(lǐng)域在未來(lái)一年的方向，其中，芯片產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)三大變革：體系架構(gòu)方面，計(jì)算存儲(chǔ)一體化架構(gòu)有望滿(mǎn)足日益復(fù)雜的計(jì)算需求，突破芯片的算力和功耗瓶頸；基礎(chǔ)材料方面，以硅為代表的半導(dǎo)體材料趨于性能極限，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展需寄望于拓?fù)浣^緣體、二維超導(dǎo)材料等新材料；芯片設(shè)計(jì)方法也需應(yīng)勢(shì)升級(jí)，基于芯粒（chiplet）的模塊化設(shè)計(jì)方法可取代傳統(tǒng)方法，讓芯片設(shè)計(jì)變得像搭積木一樣快速。

      三個(gè)變化分別代表底層了基礎(chǔ)材料到體系結(jié)構(gòu)再到設(shè)計(jì)模式，這都預(yù)示著芯片產(chǎn)業(yè)鏈將迎來(lái)一系列巨變。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)數(shù)十年經(jīng)歷了多輪變革，現(xiàn)在已經(jīng)來(lái)到了一個(gè)新的節(jié)點(diǎn)。新材料、新架構(gòu)、新設(shè)計(jì)方式的集體涌現(xiàn)正在撬動(dòng)全產(chǎn)業(yè)鏈的變革。

      深圳市周勵(lì)電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)ZLM）做為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)廠商，在敏銳地察覺(jué)到新的市場(chǎng)變化后，也積極布局第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）領(lǐng)域。ZLM多年來(lái)專(zhuān)注于電源管理IC及中高壓功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)，其主打產(chǎn)品監(jiān)控復(fù)位芯片及Si MOSFET、Si FRMOSFET、SJMOS可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子、智能家電、工業(yè)控制、汽車(chē)電子等領(lǐng)域，目前已受到行業(yè)的高度認(rèn)可。

      此次ZLM積極布局第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）領(lǐng)域，也是看到了5G領(lǐng)域快速崛起的契機(jī)。5G 產(chǎn)品大多具備高功率、高壓、高溫等特性，傳統(tǒng)的硅 (Si) 原料因無(wú)法克服在高壓、高頻中的損耗，所以已無(wú)法滿(mǎn)足5G時(shí)代的科技需求，這使得碳化硅 (SiC) 開(kāi)始嶄露頭角。

      碳化硅 SiC 是具有獨(dú)特物理和化學(xué)特性的 IV－IV 復(fù)合材料，Si 和 C 原子之間的牢固化學(xué)鍵使得其具有高硬度、化學(xué)惰性和高效的導(dǎo)熱性；牢固的結(jié)合還為其提供了較寬的帶隙和高的臨界（擊穿）電場(chǎng)強(qiáng)度。與Si器件相比，SiC器件主要具備三點(diǎn)優(yōu)勢(shì)：更低的阻抗，帶來(lái)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率；更高頻率的運(yùn)行，能讓被動(dòng)元器件做得更??；更高溫度的運(yùn)行，意味著冷卻系統(tǒng)可以更簡(jiǎn)單。

      據(jù)Yole預(yù)測(cè)，到2023年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元，其主要的市場(chǎng)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)在汽車(chē)領(lǐng)域，特別是EV、混合動(dòng)力車(chē)和燃料電池車(chē)等電動(dòng)車(chē)應(yīng)用市場(chǎng)。受益于中國(guó)國(guó)內(nèi)環(huán)保政策及意識(shí)的不斷提高，插電式油電混合車(chē)和全電動(dòng)車(chē)的需求正大幅成長(zhǎng)。而ZLM正是瞄準(zhǔn)這一市場(chǎng)未來(lái)快速增長(zhǎng)中的諸多機(jī)會(huì)，積極布局SiC功率器件領(lǐng)域。

      據(jù)悉，此次ZLM共發(fā)布了SiC MOSFET和SiC SBD 系列產(chǎn)品，SiC MOSFET以650V、900V、1200V、1700V為主要規(guī)格，采用溝道自對(duì)準(zhǔn)工藝制作，器件一致性?xún)?yōu)異； SiC SBD以650V、1200V 為主要規(guī)格，具有低VF，高浪涌電流耐量、極小的反向恢復(fù)電荷，大幅降低開(kāi)關(guān)損耗等優(yōu)勢(shì)。

      進(jìn)口替代和下游需求持續(xù)增長(zhǎng)是功率半導(dǎo)體的長(zhǎng)期發(fā)展趨勢(shì)。同時(shí)，新能源汽車(chē)尚處于產(chǎn)業(yè)發(fā)展的初期階段，伴隨著電動(dòng)車(chē)滲透率的提高，SiC功率器件也將進(jìn)入高速成長(zhǎng)期。做為國(guó)內(nèi)優(yōu)秀的芯片設(shè)計(jì)廠商，ZLM將持續(xù)用專(zhuān)業(yè)創(chuàng)新的態(tài)度提供更多差異化的產(chǎn)品，為芯片國(guó)產(chǎn)化建設(shè)發(fā)力！